法国斯特拉斯堡大学–通过纳米厚度分子层诱导ad hoc静电来调控石墨烯晶体管
这里，报道了关于如何调制石墨烯晶体管的电学性质，这反映了由2d材料和sio2介电基板之间夹层偶极分子组成的纳米厚度层的性质。由于电场处于低温度，偶极分子中超分子指令程度度部分提高，在晶体管的转移曲线中出现了滞后现象可以解释这一现象。用源于相同的族和适当设计的分子与电介质表面相互作用，滞后现象消失。 dft计算证实，通过外部电场修饰的分子表现出多个能量最小值，这一情况解释了观察到的热稳定电容耦合作用…
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