清华大学徐志平课题组–电介质衬底上均匀石墨烯单分子层的初级成核主导化学气相沉积生长
高质量石墨烯在介电基板上的直接化学气相沉积生长为电子和光电子学中的实际应用提供了广阔的前景。然而，石墨烯在电介质上的生长总是存在不均匀性和/或质量差的问题。在此，本文首先揭示了一种新的前体修饰策略可以成功地抑制石墨烯的二次成核，从而在介电基板上形成超均匀的石墨烯单层膜。研究机理发现，二氧化硅基质的羟基化削弱了石墨烯边缘与基底之间的结合，从而实现了初级成核主导的生长。基于石墨烯薄膜的场效应晶体管显示…
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